文章詳情
HB/Z 34--82變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)說(shuō)明書
日期：2024-10-22 20:30
瀏覽次數(shù)：2927
摘要：
HB/Z 34--82變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)說(shuō)明書
中華人民共和國(guó)第三機(jī)械工業(yè)部指導(dǎo)性技術(shù)文件
HB/Z 34--82
HB/Z 34--82
變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)說(shuō)明書
───────────────────────────────────
1使用范圍
1.1本說(shuō)明書適用于制造航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦**用的變形高溫合金圓餅及盤件。
1.2本說(shuō)明書所規(guī)定的檢驗(yàn)方法和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)變形高溫合金圓餅及盤件超聲波檢驗(yàn)的一般性要求。對(duì)于不同的機(jī)種、不同的材料或工藝，可在此基礎(chǔ)上作適當(dāng)?shù)难a(bǔ)充和修改，并在有關(guān)的技術(shù)文件中作出說(shuō)明。
2要求
2.1與所檢驗(yàn)圓餅或盤件同制造批的解剖件，其化學(xué)成分和組織等均應(yīng)符合各該技術(shù)條件的要求。 __
2.2圓餅及盤件的兩端面應(yīng)是平整的，光潔度相當(dāng)于∨6，如進(jìn)行切削加工，應(yīng)采用圓頭刀具。
2.3將圓餅、盤件置于轉(zhuǎn)臺(tái)上按螺旋掃查方式進(jìn)行檢查。圓餅必須采用水浸法檢查，水層距離的選擇應(yīng)符合說(shuō)明書HB/Z59《航空金屬材料及零件超聲縱波探傷說(shuō)明書》的要求。盤件可采用水浸法也可采用接觸法檢查。
探傷儀2.4 超聲波--探頭的性能應(yīng)符合說(shuō)明書HB/Z59的要求。按本說(shuō)明書進(jìn)行變形高溫合金圓餅或盤件的檢查時(shí)，需用的頻率為5ＭＨz。換能器的直徑不得大于14mm。
2.5為了按說(shuō)明書HB/Z59制造供調(diào)整儀器靈敏度用的標(biāo)準(zhǔn)試塊，要求訂貨方根據(jù)*終成品盤的尺寸及加工工藝，提供圓餅及盤件上下端面加工余量的尺寸。
2.6為便于確定圓餅的驗(yàn)收，訂貨方應(yīng)根據(jù)*終成品盤的尺寸及加工工藝提供在圓餅上輪緣區(qū)的位置。
3圓餅的檢驗(yàn)
本說(shuō)明書要求對(duì)每一變形高溫合金圓餅的每一端面均進(jìn)行兩次檢查。**次是縱波垂直入射檢查，**次是與圓餅端面法線成5°夾角的縱波斜入射檢查。
3.1**次檢查---縱波垂直入射檢查
3.1.1按說(shuō)明書HB/Z59中4.3條的規(guī)定用供調(diào)整儀器靈敏度用的兩塊標(biāo)準(zhǔn)試塊調(diào)整儀器靈敏度，調(diào)整用的標(biāo)準(zhǔn)試塊中平底孔的直徑為0.8mm。任何一塊的孔底反射波高均應(yīng)等于或大于熒光屏飽和值的80%，在此調(diào)整情況下，儀器的動(dòng)態(tài)范圍不得低于16dB。
3.1.2使圓餅在轉(zhuǎn)臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)，使波束垂直圓餅端面，沿圓餅直徑方向移動(dòng)探頭進(jìn)行從一端到另一端的垂直入射檢查。掃查的線速度不得大于4m/min，掃查間距不得大于聲束有效直徑的1/3。
注：聲束有效直徑指的是將探頭在端面上（接觸法）或在規(guī)定的水層距離處（水浸法）沿直徑方向移過(guò)供調(diào)整儀器靈敏度用的標(biāo)準(zhǔn)試塊中埋藏深度較小的平底孔時(shí)，反射波高比**反射波高低6dB的兩點(diǎn)間的距離.
3.2**次檢查--在水中波束傾斜5°的縱波斜入射檢查。
3.2.1使波束垂直標(biāo)準(zhǔn)試塊的端面，按本說(shuō)明書第3.1.1條的規(guī)定調(diào)整儀器靈敏度。
3.2.2使圓餅在轉(zhuǎn)臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)，保持水層距離不變，使波束與圓餅端面法線成5°入射角。沿圓餅直徑方向移動(dòng)探頭，進(jìn)行從一端到另一端的斜入射縱波檢查。掃查的線速度和間距與本說(shuō)明書第3.1.2條的規(guī)定相同。
4圓餅的驗(yàn)收
在按本說(shuō)明書3.1和3.2條的規(guī)定檢查時(shí)，符合下列各條的圓餅可以驗(yàn)收：
4.1在輪緣部分的任何反射信號(hào)均比埋藏深度相同，直徑為3.2mm的平底孔在垂直入射時(shí)所測(cè)得的孔底反射小6dB或更多。
4.2在其余部位有反射信號(hào)，但均小于埋藏深度相同、直徑為1.2mm平底孔在垂直入射時(shí)所測(cè)得的孔底反射波高。
4.3反射體相互間的距離在任何方向上均不小于40mm，在每個(gè)圓餅上總數(shù)不超過(guò)6個(gè)，且不是長(zhǎng)條形的。
4.4底面反射的波高與幾何形狀相同的正常材料相比沒(méi)有明顯的降低，底波位置也沒(méi)有前移。
5圓餅的拒收與處理
5.1不符合本說(shuō)明書4.1-4.3條規(guī)定的圓餅，如果訂貨方不能確保反射體在以后的加工中可以除去，則應(yīng)拒收。
5.2應(yīng)對(duì)底波前移或有明顯降低的圓餅進(jìn)行冶金分析，而后由供需雙方進(jìn)行處理。
5.3對(duì)供應(yīng)方確認(rèn)反射信號(hào)是由組織不均勻性造成的且在以后的加工過(guò)程中可以得到改善;以及發(fā)現(xiàn)有本說(shuō)明書沒(méi)有包括的情況時(shí)，應(yīng)通知訂貨方共同處理。
6盤件的超聲波檢驗(yàn)
6.1由已驗(yàn)收?qǐng)A餅制成的盤件可參照本說(shuō)明書進(jìn)行超聲波檢驗(yàn)。
6.2本說(shuō)明書3.2條所規(guī)定的**次檢查對(duì)于盤件來(lái)說(shuō)應(yīng)改為檢查底波損失情況。即使聲束垂直入射到正常組織盤的端面上，調(diào)整儀器靈敏度使一次底反射波高為熒光屏飽和值的80%，將受檢盤件放在轉(zhuǎn)臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)，檢查各部位的底反射損失情況。
6.3不允許與幾何形狀相同的正常組織盤相比有大于6dB的底波降低。
─────────────
第三機(jī)械工業(yè)部發(fā)布 1982年5月1日實(shí)施
三機(jī)部六二一所提出 三機(jī)部六二一所起草
